თანამშრომლები

კალენდარი

სიახლეების გამოწერა

პუბლიკაციის დასახელება Deep Defects in 3C-SiC Generated by H+- and He+-implantation or by Irradiation with High-energy Electrons

პუბლიკაციის ტიპი სტატია მაღალრეიტინგულ საერთაშორისო ჟურნალში

ჟურნალი/გამომცემელი Materials Science Forum Vols. 645-648 (2010) pp. 439-442

საკვანძო სიტყვები SiC, Implantation, defects

წელი 2010

ავტორ(ებ)ი

მ. ვაიდნერი, ლ. ტრაპაიძე, გ. პენსლ, ს. რეშანოვი, ა, შონერი, ჰ. იტოჰ, ტ. ოშიმა, ტ. კიმოტო

ლია ტრაპაიძე

უკან

რაიმე უზუსტობის შემთხვევაში გთხოვთ შეატყობინოთ ადმინისტრატორს